IT之家 10月29日訊，湖南泰坦未來科技有限公司本月發布新聞稿，宣佈推出國內首款12英寸多晶碳化硅襯底，瞄準AI芯片與先進封裝的散熱瓶頸。

IT 之家查询公开资料，12 英寸多晶碳化硅（SiC）衬底是一种直径约 300 毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板。该基板主要作为先进封装和高温半导体工艺中的高导热支撑、散热基底，帮助AI芯片等高功率器件把热量快速导出。

該公司在新聞稿中指出，目前半導體碳化硅賽道的市場關注點大多集中在單晶SiC襯底上，而多晶碳化硅配套材料則屬於行業的藍海與隱性剛需。

高端多晶材料長期受制於他人，成為制約國內產線擴產的關鍵痛點，大尺寸致密化、高純度製備、熱性能匹配是亟待攻克的核心技術瓶頸。

據介紹，該產品由團隊經過兩年多時間的全流程原創攻關製成，期間曾損耗兩臺氣相沉積爐，並攻克了材料致密化、大尺寸成型、應力調控等技術難題。

在關鍵性能上，該襯底沉積速度達到每小時60微米，明顯高於國內外同行的10至20微米水平；最低電阻率可小於1毫歐·厘米，優於國外同行約10毫歐·厘米的水平；孔洞缺陷少於每平方厘米0.1個，有助於提升芯片良率。

該產品目前已通過臺積電相關認證測試，並向三星送樣，同時與谷歌、輝達等企業展開合作。項目處於樣品驗證向小批量試產過渡階段，預計2027年後將逐步規模化供貨。

該公司於2026年投資新建高純度高致密碳化矽部件及多晶襯底產業基地項目，全面投產後，可年產20萬片半導體用高性能碳化矽、碳化鈦塗層產品。

官方介紹稱，本次推出的國內首創12英寸Poly-SiC多晶襯底實現多項關鍵指標突破：依託氣相沉積、超臨界多相法TaC塗層等自研核心技術，產品實現≥300W/(m·K)的超高熱導率，已遠超國際先進半導體材料廠商的平均水平，同時實現零長裂紋、微裂紋，極低孔洞缺陷，具備優異的熱學性能與結構穩定性，徹底打破大尺寸成型與高純度製備的國外技術壟斷。

產品面向兩大核心應用場景：

• AI 芯片先進封裝散熱基板：依賴於 Poly-SiC 卓越的導熱係數（傳統 AIN / Cu 方案的 2-3 倍）優異的適配性，形成高效導熱通道，解決散熱問題。公司稱，其研發的多晶碳化硅複合襯底比行業現有技術節約近 20% 的成本。
• 複合基板與蝕刻核心部件：單晶碳化矽基板的國內生產限制，通過複合基板進行大規模量產及降低成本。蝕刻環部件可將客戶的加工良率提升60%。

參考：

亮相第六屆碳基新材料產業創新發展大會｜國內首款12英寸Poly-SiC多晶襯底引行業關注

長沙打造出國內首款12英寸多晶碳化硅襯底，破解大功率芯片散熱痛點｜向新圖強