IT之家 10月18日訊，據首爾經濟日報今日報導，三星電子將採用全球最大的晶圓代工廠臺積電的製造工藝，生產輝達（Hynix）下一代定製高頻寬記憶體（HBM）的核心組件——基底裸片（base die）。在此之前，三星供應的所有HBM產品中，作為儲存芯片的核心裸片（core die）與擔任系統半導體的基底裸片，均由三星自主生產。如今三星決定接受輝達的技術要求，調整HBM的一站式全包製造模式。

業內消息人士18日稱，輝達已向三家供應商——三星電子、海力士（000660）和美光提出要求：使用臺積電3納米工藝製造基底裸片。輝達同時要求，核心裸片統一採用代號1c的第六代工藝。該芯片基於第七代下一代架構開發，是輝達在8月發布的定制版高帶寬內存。

IT之家從報道中獲悉，輝達提出這一要求，是因為各HBM供應商的製造方案各不相同，難以基於同一套設計實現穩定一致的性能。標準化也能減輕針對每家供應商單獨開展產品驗證的工作量。負責三星晶圓代工業務的設備解決方案事業部（Device Solutions）經過內部評估，決定接受輝達的要求。

報導提到，對於標準 HBM 產品，三星仍會保留一站式全包生產策略。今年三星全球率先量產第六代 HBM4，目前第七代 HBM4E 正在進行量產驗證；這兩款產品的基底裸片都採用三星自研的4納米代工工藝，核心裸片則在三星華城、平澤廠區的1c產線生產。

面向 AMD 等其他客户的定制 HBM，三星計劃繼續沿用一站式全包生產方案。同時三星也保留了在自家晶圓廠研發、生產 NVHBM 的可能性。一位業內人士表示：「三星正在驗證，能否在自有產線上製造 NVHBM 基底裸片。這是一項預案，防止 NVHBM 需求超過臺積電的產能上限。」