據韓國媒體報導，幣界網消息稱，三星電子正在配合輝達（NVDA）的要求，開發8層的第七代高帶寬存儲器（HBM4E），這比原計劃的12層、16層方案大幅降低了堆疊高度。輝達提出的速度規格為17-18Gbps，比三星初期HBM4E的14.4Gbps樣品速度高出約20%。據報導，該產品將用於NVHBM。