據幣界網消息，據《首爾經濟日報》報導，三星電子正按輝達的要求開發8層HBM4E產品，用於輝達定製的高帶寬存儲器NVHBM。輝達要求的目標速度為17至18Gbps，較三星早期HBM4E樣品的14.4Gbps提高了約20%。8層設計可降低堆疊難度並提升供應能力，NVHBM可能從明年推出的Rubin Ultra AI GPU開始應用，Rubin Ultra的GPU互連規模將由72顆增加至最多576顆。